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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP200N055T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.079633 +10：￥13.320342 +50：￥12.227615 +100：￥11.113034 +500：￥10.599452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 109 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP200N055T2 授权代理品牌	IXTP200N055T2 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥6.592906 +50：￥6.263214 +200：￥6.043498 +1000：￥5.98851	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP200N055T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.836638 +50：￥18.076572 +100：￥15.493871 +500：￥13.77242 +1000：￥11.7927	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 109 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP200N055T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥55.864469 +50：￥44.220086 +100：￥37.902115 +500：￥33.69099 +1000：￥28.84807	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 109 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP200N055T2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB 下载数据手册晶体管	+1：￥63.861481 +10：￥53.571779 +50：￥50.468537 +100：￥42.95542 +250：￥40.995478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchT2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 109 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 360W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP200N055T2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 下载数据手册未分类	+50：￥33.838716 +100：￥26.200019 +250：￥25.943016 +500：￥25.114895	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTP200N055T2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TrenchT2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.2 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	109 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	360W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）