Packaging： Bulk

Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 56A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9.5mOhm @ 15A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 50W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.25V @ 25µA

Supplier Device Package： IPAK (TO-251)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 14 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1150 pF @ 15 V

品牌： Infineon Technologies

包装： 管件,管件

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.5 毫欧 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 25µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 50W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 56A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9.5mOhm @ 15A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 50W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.25V @ 25µA

Supplier Device Package： IPAK (TO-251)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 14 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1150 pF @ 15 V