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IXTA26P20P-TRL
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¥68.076892

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¥65.935147

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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IXTA26P20P-TRL_未分类
IXTA26P20P-TRL
授权代理品牌

MOSFET P-CH 200V 26A TO263

未分类

+800:

¥33.816726

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2740 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IXTA26P20P-TRL_未分类
IXTA26P20P-TRL
授权代理品牌

IXTA26P20P-TRL 美国力特

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

封装/外壳: TO-263

自营 国内现货
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IXTA26P20P-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥24.873648

+1600:

¥21.664175

+2400:

¥20.86175

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2740 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTA26P20P-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥60.847535

+1600:

¥52.996311

+2400:

¥51.033368

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2740 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXTA26P20P-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥93.382937

+10:

¥84.397543

+100:

¥69.877039

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchP™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (IXTA)

IXTA26P20P-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥93.382937

+10:

¥84.397543

+100:

¥69.877039

库存: 0

货期:7~10 天

系列: TrenchP™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: TO-263 (IXTA)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTA26P20P-TRL_未分类
IXTA26P20P-TRL
授权代理品牌

MOSFET P-CH 200V 26A TO263

未分类

+1:

¥108.202775

+10:

¥92.675186

+25:

¥84.012426

+100:

¥77.147598

+250:

¥72.734493

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Polar

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2740 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(D2Pak)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXTA26P20P-TRL_未分类
IXTA26P20P-TRL
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+800:

¥79.799981

+4000:

¥79.003853

+8000:

¥78.207727

+12000:

¥77.427211

+20000:

¥76.662304

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTA26P20P-TRL参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Polar
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170 毫欧 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2740 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(D2Pak)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)