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Digi-Key
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IXFP36N20X3M_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥66.020735

+10:

¥59.361991

+100:

¥48.631498

+500:

¥41.399535

+1000:

¥34.915335

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X3

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1425 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFP36N20X3M_晶体管
IXFP36N20X3M
授权代理品牌

200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X3

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 500µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1425 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 36W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXFP36N20X3M_未分类
IXFP36N20X3M
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220

未分类

+300:

¥30.397733

+500:

¥28.427377

+1000:

¥27.413643

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFP36N20X3M参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Ultra X3
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 21 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1425 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 36W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220 隔离的标片
封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片
温度: -55°C # 150°C(TJ)