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	IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.899503 +300：￥8.047105 +1000：￥5.906978 +4000：￥4.280375 +8000：￥4.066326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.903296 +10：￥11.298583 +30：￥11.001531 +100：￥10.778742 +500：￥10.555953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.895846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.477115 +500：￥4.36332 +1000：￥4.287495 +3000：￥4.173585	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.545458 +12000：￥3.41893 +40000：￥3.355608 +44000：￥3.323888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.628373 +100：￥4.701347 +1000：￥4.337158 +2000：￥4.13851 +4000：￥3.939861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5302TRPBF 华轩阳电子(华轩阳电子) 授权代理品牌	IRFH5302TRPBF HXY MOSFET/深圳华轩阳电子下载数据手册未分类	+5000：￥4.166408 +15000：￥4.096951 +25000：￥3.992765	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.114281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥6.92141 +8000：￥6.792594	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.313653 +10：￥16.70611 +100：￥11.206251 +500：￥8.851791 +1000：￥8.094203	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PQFN (5x6) Single Die

IRFH5302TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	32A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.1 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	76 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4400 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PQFN（5x6）单芯片焊盘
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.477115 +500：￥4.36332 +1000：￥4.287495 +3000：￥4.173585	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.545458 +12000：￥3.41893 +40000：￥3.355608 +44000：￥3.323888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5302TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.628373 +100：￥4.701347 +1000：￥4.337158 +2000：￥4.13851 +4000：￥3.939861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 76 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4400 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PQFN（5x6）单芯片焊盘封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFH5302TRPBF 华轩阳电子(华轩阳电子) 授权代理品牌	IRFH5302TRPBF HXY MOSFET/深圳华轩阳电子下载数据手册未分类	+5000：￥4.166408 +15000：￥4.096951 +25000：￥3.992765	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数