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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50N12S3L15ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL_100+ 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.176519 +200：￥7.6472 +500：￥6.11776 +1000：￥5.098093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50N12S3L15ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL_100+ 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.397452 +200：￥3.638781 +500：￥3.507654 +1000：￥3.453017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50N12S3L15ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL_100+ 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥6.954432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50N12S3L15ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL_100+ 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥17.012384	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB50N12S3L15ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL_100+ 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

IPB50N12S3L15ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	-
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	-
温度:	-