IRFBC30SPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRFBC30SPBF 共 4 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.033756 +200：￥11.582906 +500：￥11.200452 +1000：￥11.003761	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥21.828898	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30SPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥48.198539 +10：￥40.356066 +25：￥38.232063 +100：￥32.676975 +250：￥30.879742	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.2 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFBC30SPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 下载数据手册未分类	+1000：￥27.138059 +2000：￥26.861652 +2500：￥26.736014 +3000：￥26.459607 +4000：￥26.195766	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFBC30SPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.2 欧姆 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），74W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）