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IRL3713PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥243.550373

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

自营 现货库存
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IRL3713PBF
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MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

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IRL3713PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

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IRL3713PBF
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MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

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系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

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IRL3713PBF
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IRL3713PBF VBSEMI/台湾微碧半导体

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系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

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Digi-Key
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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

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IRL3713PBF
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MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

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库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 38A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 330W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220AB

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 15 V

Mouser
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IRL3713PBF
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MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220AB

IRL3713PBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220AB