IPP029N06NAKSA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP029N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 24A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.952759 +10：￥19.30192 +30：￥16.084893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPP029N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 24A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.991432 +10：￥5.261002 +30：￥4.802693 +100：￥4.420769 +500：￥4.167745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP029N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 24A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.62326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPP029N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 24A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.648626 +10：￥16.77218 +100：￥13.482609 +500：￥11.077284 +1000：￥10.549794	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP029N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 24A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥45.619479 +10：￥41.029197 +100：￥32.982033 +500：￥27.097972 +1000：￥25.80759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPP029N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥37.368134 +10：￥33.578317 +100：￥26.992515 +500：￥22.177061 +1000：￥18.375185	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.9mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.8V @ 75µA Supplier Device Package： PG-TO220-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4100 pF @ 30 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP029N06NAKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 24A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥38.65886 +10：￥34.697351 +100：￥28.413579 +500：￥23.222637 +1000：￥18.441506	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.8V 75µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4100 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP029N06NAKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥19.352199 +1000：￥18.800644 +2000：￥18.685055 +2500：￥18.569467 +3000：￥18.451367	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP029N06NAKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	24A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.9 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.8V 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4100 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）