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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP1R6N50D2 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	Power MOSFET 500V 20V,-20V 100W -55°C~150°C 下载数据手册未分类	+1：￥23.420143 +10：￥20.873346 +25：￥20.048538 +50：￥18.63521 +100：￥16.135126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP1R6N50D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.9165 +10：￥14.303628 +100：￥11.718258 +500：￥9.975614 +1000：￥8.413144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 800mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP1R6N50D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.935977 +10：￥34.990464 +100：￥28.665964 +500：￥24.402994 +1000：￥20.58078	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 800mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP1R6N50D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥41.033396 +10：￥36.930056 +50：￥34.741608 +100：￥30.091157 +500：￥25.714261	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 800mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP1R6N50D2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+300：￥18.235983 +500：￥16.301473 +1000：￥15.940365	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTP1R6N50D2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Depletion
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.3 欧姆 800mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23.7 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	645 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）