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IRFB3307ZPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFB3307ZPBF
INFINEON(英飞凌)
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系列： HEXFET®

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220AB

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IRFB3307ZPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
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IRFB3307ZPBF_未分类
IRFB3307ZPBF
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IRFB3307ZPBF VBSEMI/微碧半导体

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IRFB3307ZPBF
International
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IRFB3307 - 12V-300V N-CHANNEL PO

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Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.8mOhm @ 75A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 230W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 1.037mA

Supplier Device Package： PG-TO220-3-904

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 110 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4750 pF @ 50 V

IRFB3307ZPBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220AB