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	IRFB7434PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.447376	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 324 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7434PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.361965 +10：￥8.35989 +20：￥6.136515 +50：￥4.44675 +100：￥4.224473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 324 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFB7434PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.135507 +10：￥5.977217 +50：￥5.343435 +100：￥4.622235 +500：￥4.305344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 324 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7434PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.69184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 324 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFB7434PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 324 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFB7434PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.261816 +50：￥9.03476 +100：￥7.433432 +500：￥6.711284	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 324 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRFB7434PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.549386 +50：￥22.101418 +100：￥18.184143 +500：￥16.417578	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 324 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRFB7434PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥31.127704 +10：￥25.007087 +100：￥20.635219 +500：￥18.711598 +1000：￥18.536722	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 324 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10820 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 294W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IRFB7434PBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥16.226369 +1000：￥16.21545 +3000：￥16.053233 +5000：￥15.892577	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB7434PBF Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥22.92813 +10：￥15.819408 +50：￥13.316337 +100：￥9.621805 +500：￥8.63059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFB7434PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	324 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10820 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	294W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）