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	IRL1404ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.039014 +10：￥21.283174 +30：￥17.527334 +100：￥15.649414 +500：￥14.397427	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRL1404ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.48987 +10：￥10.992834 +30：￥10.053088 +100：￥9.102416 +500：￥8.665325	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL1404ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.782059	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL1404ZPBF 授权代理品牌	IRL1404ZPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.476593 +10：￥8.265095 +50：￥8.052555 +250：￥7.911904 +500：￥7.699364	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRL1404ZPBF 授权代理品牌	IRL1404ZPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥9.418437 +20：￥9.182977 +200：￥8.633567 +1000：￥8.476593	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	IRL1404ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRL1404ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.448077 +10：￥11.984798 +100：￥9.537508 +500：￥8.069962 +1000：￥6.847264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRL1404ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.343826 +10：￥29.317993 +100：￥23.331271 +500：￥19.741265 +1000：￥16.75022	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL1404ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 下载数据手册晶体管	+1：￥40.403122 +10：￥34.27642 +100：￥27.156198 +250：￥25.831505 +500：￥22.354187	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5080 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 230W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IRL1404ZPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1：￥37.226561 +10：￥29.759401 +100：￥21.549428 +250：￥16.490173 +500：￥16.324757	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL1404ZPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5080 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	230W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）