IPN60R1K5PFD7SATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.463215 +10：￥4.30881 +30：￥3.590675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 169 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.889179 +10：￥9.113343 +30：￥8.621616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 169 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.163861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 169 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.381273 +6000：￥1.243145 +15000：￥1.151061 +30000：￥1.132644 +75000：￥1.105019	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 169 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.378959 +6000：￥3.041063 +15000：￥2.815799 +30000：￥2.770747 +75000：￥2.703167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 169 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.500526 +10：￥7.43796 +25：￥6.981766 +100：￥5.069148 +250：￥4.888369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™PFD7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™PFD7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN60R1K5PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管	+1：￥10.457358 +10：￥9.362603 +100：￥6.388792 +500：￥5.326716 +1000：￥4.542416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 169 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPN60R1K5PFD7SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™PFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 700mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	169 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-40°C # 150°C（TJ）