IPB083N15N5LFATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.880679 +200：￥30.734 +500：￥24.5872 +1000：￥20.489293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 134µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.841136 +200：￥14.653469 +500：￥14.12896 +1000：￥13.877633	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 134µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.001726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 134µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 134µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥28.029695	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 134µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥68.568059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 134µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥109.090057 +10：￥97.911868 +100：￥80.225111 +500：￥68.568059	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.360451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

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	IPB083N15N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 下载数据手册晶体管	+1：￥109.084756 +10：￥92.616056 +25：￥88.702701 +100：￥75.49513 +250：￥73.21234	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 105A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 134µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPB083N15N5LFATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥51.622603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB083N15N5LFATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	105A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.3 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 134µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	210 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	179W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）