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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.543539	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.4 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.4 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.244084 +10：￥35.277173 +100：￥28.350663 +500：￥23.292569 +1000：￥22.183533	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.4 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 120 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11.4 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 83µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4310 pF 60 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 136W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥13.9175	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP114N12N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 120V, 75A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥24.464682 +10：￥21.94136 +100：￥17.637626 +500：￥14.486679 +1000：￥12.001784	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP114N12N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+50：￥14.346871 +100：￥11.798414 +250：￥8.287205	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP114N12N3GXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 120V, 75A, TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥25.470106 +10：￥22.977539 +100：￥18.500607 +500：￥15.221564 +1000：￥11.736815	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP114N12N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11.4 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 83µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4310 pF 60 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	136W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）