IRFR9014TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRFR9014TR 共 9 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P沟道 60V 30A 下载数据手册未分类	+1：￥4.411222 +10：￥3.707527 +30：￥3.360931	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR9014TR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.131304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR9014TR JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFR9014TR JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.455263 +2500：￥1.366636 +7500：￥1.328652 +17500：￥1.290779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR9014TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR9014TR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.530913 +2500：￥2.425367 +7500：￥2.31993 +10000：￥2.151298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR9014TR JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFR9014TR JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.254012 +150：￥2.216389 +250：￥2.160244	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥20.07946	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR9014TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFR9014TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	270 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）