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搜索 IPD60R1K0CEAUMA1 共 10 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD60R1K0CEAUMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD60R1K0CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥6.808186

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￥5.786946

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￥4.765706

+100：

￥4.255086

+500：

￥3.914713

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

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IPD60R1K0CEAUMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD60R1K0CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

Digi-Key
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IPD60R1K0CEAUMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD60R1K0CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
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+2500：

￥3.706229

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

IPD60R1K0CEAUMA1_未分类
IPD60R1K0CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
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MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252

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未分类
+2500：

￥4.114684

+5000：

￥3.898226

+12500：

￥3.609474

+25000：

￥3.573612

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1Ohm @ 1.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 61W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 130µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-344

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 280 pF @ 100 V

IPD60R1K0CEAUMA1_未分类
IPD60R1K0CEAUMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252

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未分类
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￥10.858567

+10：

￥9.386946

+100：

￥6.496567

+500：

￥5.428426

+1000：

￥4.620036

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1Ohm @ 1.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 61W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 130µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-344

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 280 pF @ 100 V

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IPD60R1K0CEAUMA1
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MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252

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未分类
+1：

￥10.858567

+10：

￥9.386946

+100：

￥6.496567

+500：

￥5.428426

+1000：

￥4.620036

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1Ohm @ 1.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 61W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 130µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-344

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 13 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 280 pF @ 100 V

Mouser
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IPD60R1K0CEAUMA1_晶体管
IPD60R1K0CEAUMA1
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￥10.126373

+10：

￥9.65272

+100：

￥7.333455

+500：

￥6.190156

+1000：

￥5.275515

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

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IPD60R1K0CEAUMA1_未分类
IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon(英飞凌)
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场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 6.8A, TO-252

未分类
+1：

￥8.376913

+10：

￥7.275362

+100：

￥5.5718

+500：

￥4.483058

+1000：

￥3.54802

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
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IPD60R1K0CEAUMA1_未分类
IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon(英飞凌)
授权代理品牌
+2500：

￥2.07287

+5000：

￥2.024664

+7500：

￥1.976458

+10000：

￥1.976458

+12500：

￥1.918611

库存： 0

货期：7~10 天

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IPD60R1K0CEAUMA1_未分类
IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon(英飞凌)
授权代理品牌
+2500：

￥2.554933

+5000：

￥2.506727

+7500：

￥2.45852

+10000：

￥2.410314

+12500：

￥2.362107

库存： 0

货期：7~10 天

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IPD60R1K0CEAUMA1参数规格

属性 参数值
系列: *
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -