IPN60R2K0PFD7SATMA1厂家价格_数据手册

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	IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.046601 +200：￥14.205521 +500：￥11.36432 +1000：￥9.470307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 134 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.393091	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 134 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.34027 +6000：￥1.21054 +15000：￥1.124072 +30000：￥1.098127 +75000：￥1.063551	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 134 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.278653 +6000：￥2.9613 +15000：￥2.749778 +30000：￥2.686308 +75000：￥2.601728	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 134 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.208904 +10：￥7.933824 +25：￥7.401125 +100：￥5.49984 +250：￥5.224423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™PFD7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223
IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™PFD7 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-3 供应商器件封装： PG-SOT223

Mouser

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	IPN60R2K0PFD7SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册未分类	+1：￥11.922336 +10：￥10.533735 +100：￥8.079135 +500：￥6.381956 +1000：￥5.105565	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 30µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 134 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-SOT223-3-1 封装/外壳： TO-261-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IPN60R2K0PFD7SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™PFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	134 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-SOT223-3-1
封装/外壳:	TO-261-3
温度:	-40°C # 150°C（TJ）