耐压： 850V

电流： 3.5A

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 850V

连续漏极电流(Id)： 3.5A

功率(Pd)： 150W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.5Ω@2A,10V

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 5.5V@250uA

品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： HiPerFET™, Ultra X

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 247 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252（IXFY）

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： HiPerFET™, Ultra X

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 欧姆 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 247 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-252（IXFY）

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 150°C（TJ）