IPP90R340C3XKSA2厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP90R340C3XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.02224 +200：￥29.1852 +500：￥23.34816 +1000：￥19.4568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 340 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPP90R340C3XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.939791 +200：￥13.910415 +500：￥13.429615 +1000：￥13.178288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 340 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPP90R340C3XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 340 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPP90R340C3XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V TO-220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥40.893198	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 340 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPP90R340C3XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥91.66904 +10：￥82.272965 +100：￥67.405391 +500：￥57.380809 +1000：￥48.393376	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 340mOhm @ 9.2A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 1mA Supplier Device Package： PG-TO220-3-1 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2400 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP90R340C3XKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 900V TO-220 下载数据手册未分类	+500：￥65.658124	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 900 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 340 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 94 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 208W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-3-1 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPP90R340C3XKSA2 授权代理品牌	Power Mosfet 下载数据手册未分类	+500：￥55.761986 +1000：￥47.649576 +2000：￥45.426604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPP90R340C3XKSA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	340 毫欧 9.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	94 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2400 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	208W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-3-1
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）