IXTQ60N20T厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ60N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.36905 +10：￥15.024996 +30：￥14.183596 +90：￥13.320342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ60N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3 下载数据手册未分类	+1：￥37.782464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ60N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 60A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.057876 +10：￥27.005756 +100：￥22.126419 +500：￥18.835574 +1000：￥15.885443	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ60N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥73.52953 +10：￥66.063237 +100：￥54.127084 +500：￥46.076805 +1000：￥38.860004	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ60N20T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3 下载数据手册未分类	+1：￥70.806913 +10：￥63.71258 +30：￥60.165413 +120：￥51.979642 +510：￥44.339589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4530 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IXTQ60N20T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	73 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4530 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）