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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPC70N04S5L4R2ATMA1_未分类
IPC70N04S5L4R2ATMA1
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 35A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 17µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8-34

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPC70N04S5L4R2ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+5000:

¥5.821501

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 35A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 17µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8-34

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IPC70N04S5L4R2ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥14.911917

+10:

¥13.169871

+100:

¥10.099689

+500:

¥7.983869

+1000:

¥6.387039

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-34

IPC70N04S5L4R2ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥13.169871

+100:

¥10.099689

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¥7.983869

+1000:

¥6.387039

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-34

Mouser
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IPC70N04S5L4R2ATMA1_未分类
IPC70N04S5L4R2ATMA1
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

未分类

+1:

¥17.673109

+10:

¥15.849694

+100:

¥12.315072

+500:

¥10.183078

+1000:

¥8.037058

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 35A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 17µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8-34

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IPC70N04S5L4R2ATMA1_未分类
IPC70N04S5L4R2ATMA1
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

未分类

+5000:

¥4.647466

+10000:

¥4.484698

+25000:

¥4.386179

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IPC70N04S5L4R2ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.2 毫欧 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 17µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1600 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-34
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)