耐压： 75V

电流： 230A

类型： N沟道

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@1mA

漏源电压(Vdss)： 75V

连续漏极电流(Id)： 230A

功率(Pd)： 480W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 4.2mΩ@50A,10V

品牌： IXYS

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HiPerFET™, TrenchT2™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 178 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 480W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-263（D2Pak）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： IXYS

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HiPerFET™, TrenchT2™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.2 毫欧 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 178 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 480W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： TO-263（D2Pak）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）