IXTA180N10T-TRL厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T-TRL Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥54.800259 +200：￥21.865467 +500：￥21.13334 +800：￥20.77274	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥45.118751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXTA180N10T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥50.450764 +1600：￥43.198541 +2400：￥40.676009	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IXTA180N10T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥83.588507 +10：￥70.157676 +100：￥56.756596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Trench™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (IXTA)
IXTA180N10T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥83.588507 +10：￥70.157676 +100：￥56.756596	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Trench™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263 (IXTA)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA180N10T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 180A TO263 下载数据手册未分类	+1：￥96.434497 +10：￥81.070358 +25：￥78.455183 +100：￥65.542768 +250：￥63.581389	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 180A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.4 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IXTA180N10T-TRL Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥63.846228 +4000：￥63.206205 +8000：￥62.566182 +12000：￥61.941769 +20000：￥61.332966	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTA180N10T-TRL参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.4 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	151 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	480W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（D2Pak）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）