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搜索 IRFR110TR 共 7 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR110TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 100V 15A 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR110TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR110TR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.090906 +150：￥2.010486 +2500：￥1.769228 +10000：￥1.737081 +20000：￥1.608389	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR110TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR110TR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.119843 +5：￥2.066824 +10：￥2.013804 +30：￥1.960901 +50：￥1.925477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFR110TR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR110TR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.119843 +5：￥2.066824 +10：￥2.013804 +30：￥1.960901 +50：￥1.925477	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR110TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR110TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR110TR Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 540 毫欧 2.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFR110TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	540 毫欧 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）