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IXTX170P10P_晶体管-FET,MOSFET-单个
IXTX170P10P
授权代理品牌

MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3

晶体管-FET,MOSFET-单个

+1:

¥114.725408

+200:

¥44.397498

+500:

¥42.834898

+1000:

¥42.06999

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PolarP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 890W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTX170P10P_未分类
IXTX170P10P
授权代理品牌

IXTX170P10P ANALOG DEVICES/LINEAR TECHNOLOGY

未分类

+5:

¥335.531819

+50:

¥335.531819

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IXTX170P10P_未分类
IXTX170P10P
授权代理品牌

IXTX170P10P ANALOG DEVICES/LINEAR TECHNOLOGY

未分类

+5:

¥295.241838

+50:

¥290.401808

+100:

¥285.561778

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTX170P10P_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3

晶体管-FET,MOSFET-单个

+300:

¥202.501447

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PolarP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 890W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTX170P10P_未分类
IXTX170P10P
授权代理品牌

MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247-3

未分类

+1:

¥356.744461

+10:

¥317.047896

+30:

¥290.292061

+60:

¥281.548326

+120:

¥239.403513

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PolarP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 890W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: PLUS247™-3

封装/外壳: TO-247-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXTX170P10P_未分类
IXTX170P10P
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247

未分类

+30:

¥183.684452

+50:

¥181.925505

+100:

¥157.802786

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTX170P10P参数规格

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