IRF9540NLPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	IRF9540NLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.426279 +10：￥17.6176 +30：￥14.681293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF9540NLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.833305 +10：￥13.593524 +30：￥9.943816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9540NLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.169519	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9540NLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO262 下载数据手册未分类	+1：￥30.659903 +10：￥27.295479 +100：￥21.717599 +500：￥17.112715 +1000：￥16.291886	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9540NLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO262 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF9540NLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.39424 +10：￥12.949524 +100：￥10.409894 +500：￥8.55272 +1000：￥7.127266	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9540NLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO262 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.212125 +10：￥31.677966 +100：￥25.465358 +500：￥20.922217 +1000：￥17.435181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9540NLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO262 下载数据手册未分类	+1：￥36.004722 +50：￥28.949511 +100：￥23.820267 +500：￥20.1555 +1000：￥17.101529	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 117mOhm @ 14A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1450 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9540NLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 23A TO262 下载数据手册	+1：￥40.995478 +10：￥33.155705 +100：￥27.112547 +250：￥24.989275 +500：￥22.702675	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 23A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 117 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-262 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9540NLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥12.201919	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF9540NLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	117 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1450 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-262
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）