IPB120N08S403ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB120N08S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥26.077799 +200：￥21.7316 +500：￥17.38528 +1000：￥14.487693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 223µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 167 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB120N08S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥71.596305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 223µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 167 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB120N08S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+7000：￥50.506063	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 223µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 167 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB120N08S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 223µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 11550 pF @ 25 V
IPB120N08S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	+1000：￥48.593875 +2000：￥46.164153	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 223µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 11550 pF @ 25 V
IPB120N08S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥95.961825 +10：￥86.202765 +100：￥70.627632 +500：￥60.123681	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 223µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 11550 pF @ 25 V
IPB120N08S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥95.961825 +10：￥86.202765 +100：￥70.627632 +500：￥60.123681	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 223µA Supplier Device Package： PG-TO263-3-2 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 11550 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB120N08S403ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥103.587067 +10：￥92.933334 +100：￥74.740035 +500：￥63.594592 +1000：￥53.596472	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 223µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 167 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 278W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB120N08S403ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+7000：￥38.225922	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB120N08S403ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 223µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	167 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11550 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	278W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）