IPD50R500CEAUMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R500CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.255001 +10：￥10.212521 +30：￥8.16992 +100：￥6.808307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.3A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 433 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R500CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 下载数据手册	+1：￥4.752832 +10：￥4.084465 +30：￥3.755586 +100：￥3.50097 +500：￥3.267572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.3A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 433 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD50R500CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.09101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.3A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 433 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD50R500CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.166679 +5000：￥4.920645 +12500：￥4.693473 +25000：￥4.684615	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.3A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 433 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPD50R500CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.430202 +10：￥10.215627 +100：￥7.948186 +500：￥6.737457 +1000：￥5.488435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252
IPD50R500CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.430202 +10：￥10.215627 +100：￥7.948186 +500：￥6.737457 +1000：￥5.488435	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolMOS™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252

Mouser

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	IPD50R500CEAUMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 550 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 13V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 2.3A，13V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 200µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 433 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 57W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPD50R500CEAUMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	550 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 2.3A，13V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	433 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	57W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）