IRFU9220PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFU9220PBF 共 10 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9220PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥84.659707 +10：￥70.549776 +30：￥56.439845 +75：￥47.033184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9220PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK 下载数据手册	+1：￥51.326343 +10：￥45.788444 +30：￥42.414782 +100：￥39.751924	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9220PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.731873 +10：￥11.447567 +100：￥9.201419 +500：￥7.559953 +1000：￥6.263915	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9220PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.145534 +10：￥28.003781 +100：￥22.50911 +500：￥18.493648 +1000：￥15.323196	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9220PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK 下载数据手册晶体管	+1：￥37.635771 +10：￥33.936528 +100：￥27.181391 +500：￥22.356292 +1000：￥17.692029	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9220PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥29.340251 +10：￥26.89976 +100：￥19.595951 +500：￥17.965333 +1000：￥14.274703	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9220PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥10.841573 +40：￥10.366066 +150：￥9.890558 +500：￥9.4626 +2000：￥8.606688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFU9220PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Single P-Channel 200 V 1.5 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251) 下载数据手册未分类	+1：￥10.841573 +40：￥10.366066 +150：￥9.890558 +500：￥9.4626 +2000：￥8.606688	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9220PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Vishay MOS管, IRFU9220PBF 下载数据手册未分类	+5：￥19.226499 +20：￥18.6479 +40：￥18.08934	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRFU9220PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Vishay MOS管, IRFU9220PBF 下载数据手册未分类	+75：￥14.888265 +150：￥14.441166 +300：￥14.009096	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFU9220PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	340 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），42W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-251AA
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）