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搜索 IRFR2607ZTRPBF 共 16 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFR2607ZTRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFR2607ZTRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+10：

￥11.98384

+200：

￥8.104217

+500：

￥5.948844

+2000：

￥4.310746

+4000：

￥4.095245

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-Pak

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFR2607ZTRPBF_未分类
IRFR2607ZTRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

未分类
+1：

￥8.139755

+200：

￥3.150873

+500：

￥3.045844

+1000：

￥2.993329

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-Pak

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFR2607ZTRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFR2607ZTRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2000：

￥5.651294

+5000：

￥5.553011

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-Pak

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -

IRFR2607ZTRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFR2607ZTRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2000：

￥5.889185

+4000：

￥5.691232

+8000：

￥5.592255

+16000：

￥5.542709

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-Pak

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -

IRFR2607ZTRPBF_未分类
IRFR2607ZTRPBF
授权代理品牌

IRFR2607ZTRPBF BYCHIP/百域芯

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未分类
+10：

￥3.314049

+500：

￥3.059024

+2000：

￥2.804115

+6000：

￥2.549206

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
IRFR2607ZTRPBF_未分类
IRFR2607ZTRPBF
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌

IRFR2607ZTRPBF JSMICRO/深圳杰盛微

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未分类
+50：

￥3.178838

+2500：

￥2.924393

+7500：

￥2.873573

+12500：

￥2.797285

+15000：

￥2.619243

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFR2607ZTRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFR2607ZTRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+6000：

￥4.630578

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-Pak

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRFR2607ZTRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRFR2607ZTRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+6000：

￥11.327622

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D-Pak

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -

IRFR2607ZTRPBF_未分类
IRFR2607ZTRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

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未分类
+2000：

￥10.059619

+4000：

￥9.578935

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 22mOhm @ 30A, 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 50µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-901|DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1440 pF @ 25 V

IRFR2607ZTRPBF_未分类
IRFR2607ZTRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

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未分类
+1：

￥33.96297

+10：

￥21.769959

+100：

￥14.813669

+500：

￥11.829517

+1000：

￥10.86861

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 22mOhm @ 30A, 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 50µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-901|DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)： 75 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1440 pF @ 25 V

IRFR2607ZTRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC 10 V
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1440 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度: -