IPA057N08N3GXKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPA057N08N3GXKSA1 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.6324 +200：￥10.527 +500：￥8.4216 +1000：￥7.018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4750 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 39W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.939843	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4750 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 39W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.768321 +10：￥13.262532 +100：￥10.658095 +500：￥8.756745 +1000：￥8.339757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4750 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 39W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.127226 +10：￥32.443667 +100：￥26.072524 +500：￥21.421319 +1000：￥20.401256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 69 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4750 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 39W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPA057N08N3GXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥40.235411 +50：￥21.782197 +100：￥19.877517 +500：￥16.483057 +1000：￥15.834087	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 5.7mOhm @ 60A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 90µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4750 pF @ 40 V

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA057N08N3GXKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+500：￥15.706933 +1000：￥14.443054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA057N08N3GXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.7 毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	69 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4750 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	39W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）