IRFR1010ZTRLPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR1010ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.093159 +200：￥9.2444 +500：￥7.39552 +1000：￥6.162893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR1010ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥7.467569 +200：￥2.8883 +500：￥2.793774 +1000：￥2.74126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR1010ZTRLPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFR1010ZTRLPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.287631 +300：￥4.10898 +5000：￥3.930329 +10000：￥3.858869 +20000：￥3.573026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR1010ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+6000：￥5.221187	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFR1010ZTRLPBF International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册未分类	+6000：￥5.221187	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.5mOhm @ 42A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2840 pF @ 25 V

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR1010ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+6000：￥12.772407	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFR1010ZTRLPBF International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.936371	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.5mOhm @ 42A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 100µA Supplier Device Package： D-Pak Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2840 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR1010ZTRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 下载数据手册未分类	+6000：￥14.768538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 42A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 95 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2840 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 140W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR1010ZTRLPBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 55V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+6000：￥6.763048 +9000：￥6.754021	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFR1010ZTRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 42A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	95 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2840 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	140W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）