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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY01N100 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY01N100 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.944365	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY01N100 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.061575 +70：￥12.905154 +140：￥10.618571 +560：￥8.984787 +1050：￥7.623524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY01N100 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.448124 +70：￥20.865196 +140：￥18.940782 +560：￥17.65279	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY01N100 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA 下载数据手册未分类	+350：￥19.070328	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 54 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY01N100 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA 下载数据手册未分类	+350：￥17.1447	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTY01N100参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 欧姆 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	54 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）