IPW60R045CPAFKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPW60R045CPAFKSA1 共 5 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥149.439719 +200：￥124.5332 +500：￥99.62656 +1000：￥83.022093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 431W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥153.34238 +200：￥59.346003 +500：￥57.258895 +1000：￥56.231731	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 431W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥344.367741 +10：￥316.522871 +100：￥267.317724 +500：￥239.164859	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 190 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 431W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥274.457518 +30：￥171.222327 +120：￥156.325282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 45mOhm @ 44A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 3mA Supplier Device Package： PG-TO247-3 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 6800 pF @ 100 V Qualification： AEC-Q101

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW60R045CPAFKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+240：￥210.758443 +250：￥209.352699 +500：￥207.934059 +1000：￥206.502521 +2000：￥205.070984	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW60R045CPAFKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	190 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6800 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	431W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-40°C # 150°C（TJ）