IPA083N10N5XKSA1厂家价格_数据手册

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	IPA083N10N5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.906521 +200：￥9.922121 +500：￥7.9376 +1000：￥6.614707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 49µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPA083N10N5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 49µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPA083N10N5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3 下载数据手册未分类	+100：￥18.753366 +500：￥15.407935 +1000：￥12.76658 +2000：￥11.886205 +5000：￥11.445904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 49µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPA083N10N5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.002096 +10：￥30.545216 +100：￥24.552346 +500：￥20.171742 +1000：￥19.211183	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 49µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPA083N10N5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 44A TO220-FP 下载数据手册未分类	+1：￥34.115957 +50：￥18.961128 +100：￥17.568953 +500：￥14.634369 +1000：￥12.705823	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-220-3 Full Pack Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 8.3mOhm @ 44A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.8V @ 49µA Supplier Device Package： PG-TO220-FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2730 pF @ 50 V

Mouser

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	IPA083N10N5XKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥39.903452 +10：￥35.927309 +100：￥28.259029 +500：￥23.146843	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.3 毫欧 44A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 49µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2730 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 36W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA083N10N5XKSA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube 下载数据手册未分类	+1：￥35.086857 +10：￥31.415157 +100：￥25.125419 +500：￥20.465829 +1000：￥17.678845	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA083N10N5XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 44 A, PG-TO220-FP, SMD安装, IPA083N10N5XKSA1 下载数据手册未分类	+50：￥10.634623 +100：￥9.572397 +150：￥8.614291	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPA083N10N5XKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 44 A, PG-TO220-FP, SMD安装, IPA083N10N5XKSA1 下载数据手册未分类	+10：￥15.648263 +20：￥14.867398 +30：￥13.826248 +40：￥12.580584	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPA083N10N5XKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.3 毫欧 44A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 49µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	37 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2730 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	36W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）