搜索 IRF7811AVTR 共 7 条相关记录
自营 现货库存
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7811AVTR 授权代理品牌 | N沟道 20V 12A | +5： ￥1.366565 +50： ￥1.235109 +150： ￥1.214347 +500： ￥1.046505 | 暂无参数 |
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
IRF7811AVTR 授权代理品牌 | +10： ￥1.027852 +500： ￥1.009934 +8000： ￥0.983162 +20000： ￥0.965244 +36000： ￥0.893783 | 暂无参数 | |||
IRF7811AVTR | +5： ￥1.223841 +50： ￥1.19328 +100： ￥1.162603 +200： ￥1.132042 +300： ￥1.10148 | 暂无参数 | |||
IRF7811AVTR | +10： ￥1.412766 +50： ￥1.377458 +200： ￥1.295035 +4000： ￥1.271535 | 暂无参数 | |||
IRF7811AVTR 授权代理品牌 | +50： ￥0.812305 +4000： ￥0.798183 +12000： ￥0.776998 +20000： ￥0.755813 +36000： ￥0.727567 | 暂无参数 |
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO | 1+: |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO | 1+: |
IRF7811AVTR参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 14 毫欧 15A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 26 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1801 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |