 | IRF530SPBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），88W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
![IRF530SPBF_未分类]() | IRF530SPBF | IRF530SPBF VBSEMI/台湾微碧半导体 未分类 | | | 暂无参数 |
| IRF530SPBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），88W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
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| IRF530SPBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），88W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRF530SPBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），88W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRF530SPBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），88W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
| IRF530SPBF | | | | 品牌： Vishay Siliconix 包装： 管件 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： N 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 8.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），88W（Tc） 工作温度： -55°C # 175°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： D²PAK（TO-263） 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ） |
