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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA76N25T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 76A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.786253 +200：￥11.532195 +500：￥11.122582 +800：￥10.923026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA76N25T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 76A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥32.226891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA76N25T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 76A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥22.587124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA76N25T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 76A TO263 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥55.254089	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA76N25T-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 76A TO263 下载数据手册未分类	+800：￥67.790169	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Trench 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 76A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 39 毫欧 38A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（D2Pak）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTA76N25T-TRL 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥64.105266 +4000：￥63.464349 +8000：￥62.83707 +12000：￥62.209789 +20000：￥61.58251	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTA76N25T-TRL参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Trench
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	39 毫欧 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	92 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	460W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（D2Pak）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）