IRFHS9301TRPBF厂家价格_数据手册

搜索 IRFHS9301TRPBF 共 22 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.743386 +10：￥4.881866 +30：￥4.020346 +100：￥3.302453 +500：￥2.871693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥4.021235 +10：￥3.179836 +30：￥2.753672 +100：￥2.338436 +500：￥1.945054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.192733	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFHS9301TRPBF 授权代理品牌	IRFHS9301TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.857482 +5：￥2.786056 +10：￥2.714631 +30：￥2.643205 +50：￥2.595511	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.036841 +5000：￥2.001418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.673347 +8000：￥1.644986 +12000：￥1.616623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFHS9301TRPBF 授权代理品牌	IRFHS9301TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.857482 +30：￥2.738478 +200：￥2.619358 +3000：￥2.57178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.632582 +8000：￥1.546697 +12000：￥1.432105 +28000：￥1.417925	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.993729 +8000：￥3.783629 +12000：￥3.503308 +28000：￥3.468621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFHS9301TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Ta），13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	37 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	580 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-PQFN（2x2）
封装/外壳:	6-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFHS9301TRPBF 授权代理品牌	IRFHS9301TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.857482 +5：￥2.786056 +10：￥2.714631 +30：￥2.643205 +50：￥2.595511	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.036841 +5000：￥2.001418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFHS9301TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.673347 +8000：￥1.644986 +12000：￥1.616623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta），13A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-PQFN（2x2）封装/外壳： 6-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFHS9301TRPBF 授权代理品牌	IRFHS9301TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.857482 +30：￥2.738478 +200：￥2.619358 +3000：￥2.57178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数