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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY1R6N100D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 下载数据手册未分类	+25：￥26.791497 +560：￥22.822428 +1050：￥18.257876 +2520：￥15.181807 +5040：￥14.685758	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 800mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY1R6N100D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥71.291641 +10：￥47.19629 +100：￥33.473415 +500：￥27.600574 +1000：￥25.711652	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 800mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY1R6N100D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥58.703443 +25：￥46.59793 +70：￥40.130602 +280：￥39.964773 +560：￥35.487392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 800mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY1R6N100D2 Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK 下载数据手册未分类	+350：￥35.738116 +560：￥32.085368 +1050：￥26.85389 +2030：￥25.785925 +5040：￥24.57866	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTY1R6N100D2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Depletion
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 800mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	645 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）