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	IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.997356 +10：￥2.76679 +30：￥2.720683 +100：￥2.582342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.619798 +100：￥5.829175 +500：￥4.278923 +1000：￥3.100625 +2000：￥2.945624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.478322	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥3.035491 +10：￥2.833125 +30：￥2.499854 +100：￥2.236672 +500：￥2.124844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥3.901344 +100：￥3.516638 +500：￥3.384995 +1000：￥3.258094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥11.753477 +100：￥9.144076 +500：￥7.564761 +1000：￥5.951146 +2000：￥5.607822	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+100：￥9.119274 +500：￥7.538505 +1000：￥5.936175 +2000：￥5.581232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+50：￥5.154004 +200：￥5.106632 +1000：￥5.059374 +2000：￥5.012115 +6250：￥4.964857	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF820PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.090274 +1000：￥1.983083 +5350：￥1.929435 +8300：￥1.875891 +11800：￥1.804431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.978504 +10：￥7.133374 +100：￥5.563086 +500：￥4.595501 +1000：￥3.628034	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF820PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 欧姆 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	360 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥3.035491 +10：￥2.833125 +30：￥2.499854 +100：￥2.236672 +500：￥2.124844	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥3.901344 +100：￥3.516638 +500：￥3.384995 +1000：￥3.258094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+10：￥11.753477 +100：￥9.144076 +500：￥7.564761 +1000：￥5.951146 +2000：￥5.607822	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+100：￥9.119274 +500：￥7.538505 +1000：￥5.936175 +2000：￥5.581232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB 下载数据手册未分类	+50：￥5.154004 +200：￥5.106632 +1000：￥5.059374 +2000：￥5.012115 +6250：￥4.964857	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF820PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF820PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.090274 +1000：￥1.983083 +5350：￥1.929435 +8300：￥1.875891 +11800：￥1.804431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数