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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL2203NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.849599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL2203NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.040273 +10：￥6.113525 +20：￥4.487648 +50：￥3.251875 +100：￥3.089251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRL2203NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.69184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL2203NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRL2203NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.486784 +50：￥2.443993 +500：￥2.358198 +5000：￥2.293905 +30000：￥2.143815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL2203NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥5.210716 +10：￥5.096254 +30：￥4.986638 +100：￥4.881661 +500：￥4.637556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL2203NPBF 授权代理品牌	IRL2203NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.803349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL2203NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRL2203NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.373479 +150：￥2.333888 +250：￥2.274617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL2203NPBF 授权代理品牌	IRL2203NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.636607 +30：￥2.526748 +200：￥2.41689 +1000：￥2.3729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL2203NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRL2203NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRL2203NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	116A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7 毫欧 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3290 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	180W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL2203NPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRL2203NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.486784 +50：￥2.443993 +500：￥2.358198 +5000：￥2.293905 +30000：￥2.143815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL2203NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥5.210716 +10：￥5.096254 +30：￥4.986638 +100：￥4.881661 +500：￥4.637556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL2203NPBF 授权代理品牌	IRL2203NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.803349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL2203NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRL2203NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥2.373479 +150：￥2.333888 +250：￥2.274617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL2203NPBF 授权代理品牌	IRL2203NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.636607 +30：￥2.526748 +200：￥2.41689 +1000：￥2.3729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRL2203NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 60A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3290 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）