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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830ALPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.53265 +200：￥7.397762 +500：￥7.146435 +1000：￥7.026235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830ALPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830ALPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥16.020425	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830ALPBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥37.974825 +10：￥31.673326 +100：￥25.205998 +250：￥23.21605 +500：￥21.060274	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.4 欧姆 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），74W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830ALPBF Vishay 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 下载数据手册未分类	+1000：￥14.282865	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF830ALPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	威世 MOS管, IRF830ALPBF 下载数据手册未分类	+50：￥15.474377 +100：￥15.010998 +200：￥14.560141	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRF830ALPBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	Vishay MOS管, IRF830ALPBF 下载数据手册未分类	+5：￥20.015496 +15：￥19.419365 +25：￥18.835757	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF830ALPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.4 欧姆 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	620 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.1W（Ta），74W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I2PAK
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）