IPI90N04S402AKSA1厂家价格_数据手册

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	IPI90N04S402AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.965361 +200：￥4.633162 +500：￥4.469253 +1000：￥4.392763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 95µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPI90N04S402AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.638625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 95µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPI90N04S402AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 95µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPI90N04S402AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.054472 +50：￥13.495227 +100：￥11.567255 +500：￥10.282211 +1000：￥8.804079	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 95µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPI90N04S402AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.719757 +50：￥33.012902 +100：￥28.296569 +500：￥25.153014 +1000：￥21.53711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 95µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPI90N04S402AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 下载数据手册未分类	+227：￥18.535375	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.5mOhm @ 90A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 95µA Supplier Device Package： PG-TO262-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9430 pF @ 25 V

Mouser

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	IPI90N04S402AKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.5 毫欧 90A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 95µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 118 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9430 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO262-3 封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPI90N04S402AKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+500：￥31.400571 +1000：￥31.088594 +2000：￥30.776615 +2500：￥30.480236 +3000：￥30.168259	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPI90N04S402AKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.5 毫欧 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 95µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	118 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9430 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO262-3
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）