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IPB019N06L3GATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥21.936211

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 196µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 166 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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IPB019N06L3GATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥9.785753

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¥9.417895

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 196µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 166 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IPB019N06L3GATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥25.864181

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 196µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 166 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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¥69.914763

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¥46.293671

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¥32.864529

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¥27.13672

库存: 0

货期:7~10 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)

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¥32.864529

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¥27.13672

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货期:7~10 天

系列: OptiMOS™

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)

Mouser
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IPB019N06L3GATMA1_未分类
IPB019N06L3GATMA1
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MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

未分类

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¥59.864245

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¥44.276324

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¥44.110495

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¥32.502471

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¥28.190918

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 196µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 166 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

艾睿
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IPB019N06L3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

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货期:7~10 天

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IPB019N06L3GATMA1
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¥19.409397

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¥19.06485

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货期:7~10 天

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IPB019N06L3GATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.9 毫欧 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V 196µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 166 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 28000 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)