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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.751428 +10：￥3.213155 +40：￥2.358653 +75：￥1.709125 +150：￥1.623699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.588972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.545994 +100：￥3.781961 +750：￥3.51455 +1500：￥3.336275 +3000：￥3.183469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.931295 +500：￥3.865773 +1000：￥3.833012 +3000：￥3.76749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFU9024NPBF 授权代理品牌	IRFU9024NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥1.837845 +10：￥1.791888 +30：￥1.745931 +50：￥1.699972 +80：￥1.654015	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFU9024NPBF 授权代理品牌	IRFU9024NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.722778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.145181 +10：￥4.076924 +50：￥3.608896 +100：￥2.871952 +500：￥2.474192	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.787836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFU9024NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFU9024NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+80：￥1.917027 +240：￥1.885077 +400：￥1.837151 +800：￥1.757275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.692886 +75：￥3.801543 +150：￥3.393353 +525：￥2.812243 +1050：￥2.560337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFU9024NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	175 毫欧 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	350 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	IPAK（TO-251AA）
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.545994 +100：￥3.781961 +750：￥3.51455 +1500：￥3.336275 +3000：￥3.183469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.931295 +500：￥3.865773 +1000：￥3.833012 +3000：￥3.76749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFU9024NPBF 授权代理品牌	IRFU9024NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥1.837845 +10：￥1.791888 +30：￥1.745931 +50：￥1.699972 +80：￥1.654015	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFU9024NPBF 授权代理品牌	IRFU9024NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.722778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.145181 +10：￥4.076924 +50：￥3.608896 +100：￥2.871952 +500：￥2.474192	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFU9024NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 55V 11A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.787836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175 毫欧 6.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： IPAK（TO-251AA）封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFU9024NPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRFU9024NPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+80：￥1.917027 +240：￥1.885077 +400：￥1.837151 +800：￥1.757275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数