IRF9510PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9510PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRF9510PBF TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥32.556986 +10：￥27.673426 +30：￥22.789866 +100：￥20.348086 +500：￥18.720273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.4216 +10：￥7.15836 +50：￥5.89512 +100：￥4.84242 +500：￥4.2108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.266944 +10：￥4.40369 +50：￥3.584145 +100：￥3.157981 +500：￥2.906654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF9510PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	P沟道 100V 4A 下载数据手册未分类	+1：￥11.52827 +10：￥11.309724 +30：￥11.16767 +100：￥11.025615	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 100V 连续漏极电流(Id)： 4A 功率(Pd)： 43W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 1.2Ω@10V,2.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250μA

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.132932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9510PBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF9510PBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥3.104172 +2977：￥2.998133 +3127：￥2.865469 +3927：￥2.785709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9510PBF 授权代理品牌	IRF9510PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.755495 +20：￥2.590649 +100：￥2.567034 +1000：￥2.520034	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9510PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRF9510PBF INFINEON TECHNOLOGIES/IR 下载数据手册未分类	+15：￥3.609127 +500：￥3.549973 +1000：￥3.490818 +5000：￥3.431664	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9510PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.192576 +50：￥4.271397 +100：￥3.854888 +500：￥3.108926 +1000：￥2.864462	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF9510PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	43W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）