IRFU120PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFU120PBF 共 14 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.873414 +10：￥7.542414 +30：￥6.211414 +75：￥5.102207 +525：￥4.436707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRFU120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥8.829975 +100：￥5.97135 +800：￥4.383225 +3000：￥3.17625 +6000：￥3.017498	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.135817 +10：￥4.206999 +30：￥3.748054 +75：￥3.278181 +525：￥3.004999	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU120PBF 授权代理品牌	IRFU120PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥1.672769 +50：￥1.602269 +100：￥1.533159 +8000：￥1.462775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRFU120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.790484 +100：￥3.851997 +750：￥3.431779 +1500：￥3.235678 +3000：￥3.081598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.957384 +75：￥4.782261 +150：￥3.789364 +525：￥3.211964 +1050：￥2.616519	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.573339 +75：￥11.698677 +150：￥9.269787 +525：￥7.857316 +1050：￥6.400698	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA 下载数据手册未分类	+1：￥15.516217 +10：￥12.657966 +100：￥9.848715 +500：￥8.983073 +1000：￥8.460423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），42W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-251AA 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU120PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK 下载数据手册未分类	+3000：￥3.919914 +9000：￥3.812384	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFU120PBF VISHAY(威世) 授权代理品牌	MOSFET, N, 100V, 7.7A, I-PAK 下载数据手册未分类	+1：￥9.72735 +10：￥7.929122 +100：￥6.179165 +500：￥5.467109 +1000：￥5.370561	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRFU120PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	270 毫欧 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	360 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），42W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-251AA
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）